maison / des produits / Protection de circuit / TVS - Varistances, MOVs / ERZ-E11E821
Référence fabricant | ERZ-E11E821 |
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Numéro de pièce future | FT-ERZ-E11E821 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | ZNR® |
ERZ-E11E821 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Volts CA maximum | 510V |
Volts CC maximum | 670V |
Tension de varistance (min) | 738V |
Tension de varistance (Typ) | 820V |
Tension de varistance (max) | 902V |
Courant - Surtension | 5kA |
Énergie | 235J |
Nombre de circuits | 1 |
Capacité à fréquence | 260pF @ 1kHz |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
Caractéristiques | - |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | Disc 14mm |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ERZ-E11E821 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | ERZ-E11E821-FT |
820541311
Wurth Electronics Inc.
820541406
Wurth Electronics Inc.
820543001
Wurth Electronics Inc.
820423211
Wurth Electronics Inc.
820443211E
Wurth Electronics Inc.
820444211E
Wurth Electronics Inc.
820513811
Wurth Electronics Inc.
820521311
Wurth Electronics Inc.
820522511
Wurth Electronics Inc.
820522711
Wurth Electronics Inc.
XC2VP40-6FGG676C
Xilinx Inc.
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Xilinx Inc.
EP4CE30F23C8N
Intel
10M40DAF484C7G
Intel
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Xilinx Inc.
XC5VLX110-1FFG676I
Xilinx Inc.
LFE5U-12F-8BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-95EA-8LFN672C
Lattice Semiconductor Corporation
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Intel
10AX115N2F45I2LG
Intel