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Référence fabricant | ERZ-E11E751 |
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Numéro de pièce future | FT-ERZ-E11E751 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | ZNR® |
ERZ-E11E751 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Volts CA maximum | 460V |
Volts CC maximum | 615V |
Tension de varistance (min) | 675V |
Tension de varistance (Typ) | 750V |
Tension de varistance (max) | 825V |
Courant - Surtension | 5kA |
Énergie | 210J |
Nombre de circuits | 1 |
Capacité à fréquence | 280pF @ 1kHz |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
Caractéristiques | - |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | Disc 14mm |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ERZ-E11E751 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | ERZ-E11E751-FT |
820513011
Wurth Electronics Inc.
820541311
Wurth Electronics Inc.
820541406
Wurth Electronics Inc.
820543001
Wurth Electronics Inc.
820423211
Wurth Electronics Inc.
820443211E
Wurth Electronics Inc.
820444211E
Wurth Electronics Inc.
820513811
Wurth Electronics Inc.
820521311
Wurth Electronics Inc.
820522511
Wurth Electronics Inc.
XCS30XL-4PQ208C
Xilinx Inc.
A1415A-1VQG100C
Microsemi Corporation
AT40K10LV-3EQC
Microchip Technology
EP2C50F484C7N
Intel
EP2AGX65DF25C5
Intel
5SGXMABN2F45I3LN
Intel
XC6VLX365T-3FFG1759C
Xilinx Inc.
AX500-2FGG676
Microsemi Corporation
LCMXO640E-4B256I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO1200C-4MN132C
Lattice Semiconductor Corporation