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Référence fabricant | ERZ-E11E621 |
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Numéro de pièce future | FT-ERZ-E11E621 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | ZNR® |
ERZ-E11E621 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Volts CA maximum | 385V |
Volts CC maximum | 505V |
Tension de varistance (min) | 558V |
Tension de varistance (Typ) | 620V |
Tension de varistance (max) | 682V |
Courant - Surtension | 5kA |
Énergie | 190J |
Nombre de circuits | 1 |
Capacité à fréquence | 300pF @ 1kHz |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
Caractéristiques | - |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | Disc 14mm |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ERZ-E11E621 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | ERZ-E11E621-FT |
MLV1812E33003T
Vishay BC Components
820442711E
Wurth Electronics Inc.
820513011
Wurth Electronics Inc.
820541311
Wurth Electronics Inc.
820541406
Wurth Electronics Inc.
820543001
Wurth Electronics Inc.
820423211
Wurth Electronics Inc.
820443211E
Wurth Electronics Inc.
820444211E
Wurth Electronics Inc.
820513811
Wurth Electronics Inc.
XC6SLX100-L1FGG676C
Xilinx Inc.
XC3S1500-4FGG456C
Xilinx Inc.
A42MX16-1PQG208
Microsemi Corporation
LCMXO640C-4FT256I
Lattice Semiconductor Corporation
A40MX02-3PLG68I
Microsemi Corporation
AGLN250V2-ZVQG100I
Microsemi Corporation
EP2A15F672C9N
Intel
EP4CE30F23C8N
Intel
5SEEBH40C4N
Intel
LCMXO2-4000ZE-3MG132I
Lattice Semiconductor Corporation