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Référence fabricant | ERZ-E11E221 |
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Numéro de pièce future | FT-ERZ-E11E221 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | ZNR® |
ERZ-E11E221 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Volts CA maximum | 140V |
Volts CC maximum | 180V |
Tension de varistance (min) | 198V |
Tension de varistance (Typ) | 220V |
Tension de varistance (max) | 242V |
Courant - Surtension | 6kA |
Énergie | 78J |
Nombre de circuits | 1 |
Capacité à fréquence | 660pF @ 1kHz |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
Caractéristiques | - |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | Disc 13mm |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ERZ-E11E221 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | ERZ-E11E221-FT |
820453811
Wurth Electronics Inc.
820511311
Wurth Electronics Inc.
820512001
Wurth Electronics Inc.
820512501
Wurth Electronics Inc.
820512511
Wurth Electronics Inc.
820513001
Wurth Electronics Inc.
820553811
Wurth Electronics Inc.
820573011
Wurth Electronics Inc.
B72542V0250K062
EPCOS (TDK)
MLV1812E32003T
Vishay BC Components
XC3S50A-4VQG100I
Xilinx Inc.
A54SX32A-1CQ84B
Microsemi Corporation
A54SX16A-FFGG256
Microsemi Corporation
M1AGL1000V5-FGG256
Microsemi Corporation
EP3SL200H780I4LN
Intel
LFXP2-8E-6FT256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M70SE-7F900C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA3D4F31C4G
Intel
EP1S30F780C5N
Intel
5CGTFD9E5F35C7N
Intel