maison / des produits / Protection de circuit / TVS - Varistances, MOVs / ERZ-E11E112
Référence fabricant | ERZ-E11E112 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-ERZ-E11E112 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | ZNR® |
ERZ-E11E112 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Volts CA maximum | 680V |
Volts CC maximum | 895V |
Tension de varistance (min) | 990V |
Tension de varistance (Typ) | 1.1kV |
Tension de varistance (max) | 1.21kV |
Courant - Surtension | 5kA |
Énergie | 310J |
Nombre de circuits | 1 |
Capacité à fréquence | 200pF @ 1kHz |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
Caractéristiques | - |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | Disc 13mm |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ERZ-E11E112 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | ERZ-E11E112-FT |
B72220X2421K502
EPCOS (TDK)
820412001
Wurth Electronics Inc.
820453811
Wurth Electronics Inc.
820511311
Wurth Electronics Inc.
820512001
Wurth Electronics Inc.
820512501
Wurth Electronics Inc.
820512511
Wurth Electronics Inc.
820513001
Wurth Electronics Inc.
820553811
Wurth Electronics Inc.
820573011
Wurth Electronics Inc.
XC4013XL-3HT144I
Xilinx Inc.
A1415A-PQ100M
Microsemi Corporation
XC4005XL-1PQ100C
Xilinx Inc.
XC4003E-1VQ100C
Xilinx Inc.
A3P1000-2FG484I
Microsemi Corporation
A3P125-1VQ100I
Microsemi Corporation
EP2S60F672C3N
Intel
M1A3P1000L-FGG144
Microsemi Corporation
M1A3P250-1FGG144I
Microsemi Corporation
10AX027E1F29I1SG
Intel