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Référence fabricant | ERZ-E11E112 |
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Numéro de pièce future | FT-ERZ-E11E112 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | ZNR® |
ERZ-E11E112 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Volts CA maximum | 680V |
Volts CC maximum | 895V |
Tension de varistance (min) | 990V |
Tension de varistance (Typ) | 1.1kV |
Tension de varistance (max) | 1.21kV |
Courant - Surtension | 5kA |
Énergie | 310J |
Nombre de circuits | 1 |
Capacité à fréquence | 200pF @ 1kHz |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
Caractéristiques | - |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | Disc 13mm |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ERZ-E11E112 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | ERZ-E11E112-FT |
B72220X2421K502
EPCOS (TDK)
820412001
Wurth Electronics Inc.
820453811
Wurth Electronics Inc.
820511311
Wurth Electronics Inc.
820512001
Wurth Electronics Inc.
820512501
Wurth Electronics Inc.
820512511
Wurth Electronics Inc.
820513001
Wurth Electronics Inc.
820553811
Wurth Electronics Inc.
820573011
Wurth Electronics Inc.
A40MX04-FVQ80
Microsemi Corporation
LCMXO640C-5TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
A3P600L-FGG484I
Microsemi Corporation
M1A3P400-2FG484
Microsemi Corporation
LCMXO2-1200HC-4SG32C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGSMD8N3F45I3LN
Intel
XC2VP30-5FFG1152C
Xilinx Inc.
M7A3P1000-2FGG144I
Microsemi Corporation
LFXP2-30E-6F672I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000ZE-2BG332C
Lattice Semiconductor Corporation