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Référence fabricant | ERZ-E11E102 |
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Numéro de pièce future | FT-ERZ-E11E102 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | ZNR® |
ERZ-E11E102 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Volts CA maximum | 625V |
Volts CC maximum | 825V |
Tension de varistance (min) | 900V |
Tension de varistance (Typ) | 1kV |
Tension de varistance (max) | 1.1kV |
Courant - Surtension | 5kA |
Énergie | 280J |
Nombre de circuits | 1 |
Capacité à fréquence | 220pF @ 1kHz |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
Caractéristiques | - |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | Disc 13mm |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ERZ-E11E102 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | ERZ-E11E102-FT |
B72220X2511K502
EPCOS (TDK)
B72220X2421K502
EPCOS (TDK)
820412001
Wurth Electronics Inc.
820453811
Wurth Electronics Inc.
820511311
Wurth Electronics Inc.
820512001
Wurth Electronics Inc.
820512501
Wurth Electronics Inc.
820512511
Wurth Electronics Inc.
820513001
Wurth Electronics Inc.
820553811
Wurth Electronics Inc.
A54SX32-2TQ144
Microsemi Corporation
LCMXO1200C-5T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC2S100E-6PQ208C
Xilinx Inc.
LFE5U-12F-6BG381C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K1000CF672C9
Intel
EP4CGX75CF23C8N
Intel
10M04SCU169A7G
Intel
5CGXFC5F6M11C7N
Intel
LFEC10E-5F256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2C70F896I8N
Intel