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Référence fabricant | ERZ-E11E102 |
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Numéro de pièce future | FT-ERZ-E11E102 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | ZNR® |
ERZ-E11E102 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Volts CA maximum | 625V |
Volts CC maximum | 825V |
Tension de varistance (min) | 900V |
Tension de varistance (Typ) | 1kV |
Tension de varistance (max) | 1.1kV |
Courant - Surtension | 5kA |
Énergie | 280J |
Nombre de circuits | 1 |
Capacité à fréquence | 220pF @ 1kHz |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
Caractéristiques | - |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | Disc 13mm |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ERZ-E11E102 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | ERZ-E11E102-FT |
B72220X2511K502
EPCOS (TDK)
B72220X2421K502
EPCOS (TDK)
820412001
Wurth Electronics Inc.
820453811
Wurth Electronics Inc.
820511311
Wurth Electronics Inc.
820512001
Wurth Electronics Inc.
820512501
Wurth Electronics Inc.
820512511
Wurth Electronics Inc.
820513001
Wurth Electronics Inc.
820553811
Wurth Electronics Inc.
LCMXO2280C-3T100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC7A100T-3FTG256E
Xilinx Inc.
XC6VLX130T-1FF784I
Xilinx Inc.
A42MX09-1PL84
Microsemi Corporation
A54SX16A-FGG144
Microsemi Corporation
LFE2-12SE-7FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2280C-3BN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2280C-5B256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2280E-3M132C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090S3F45I2SG
Intel