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Référence fabricant | ERZ-E11B911CS |
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Numéro de pièce future | FT-ERZ-E11B911CS |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | ZNR® |
ERZ-E11B911CS Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Volts CA maximum | 550V |
Volts CC maximum | 745V |
Tension de varistance (min) | 819V |
Tension de varistance (Typ) | 910V |
Tension de varistance (max) | 1.001kV |
Courant - Surtension | 5kA |
Énergie | 255J |
Nombre de circuits | 1 |
Capacité à fréquence | 240pF @ 1kHz |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
Caractéristiques | - |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | Disc 14mm |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ERZ-E11B911CS Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | ERZ-E11B911CS-FT |
B72220X3321K102
EPCOS (TDK)
B72220X2511K502
EPCOS (TDK)
B72220X2421K502
EPCOS (TDK)
820412001
Wurth Electronics Inc.
820453811
Wurth Electronics Inc.
820511311
Wurth Electronics Inc.
820512001
Wurth Electronics Inc.
820512501
Wurth Electronics Inc.
820512511
Wurth Electronics Inc.
820513001
Wurth Electronics Inc.
EX64-TQG64
Microsemi Corporation
XC7K325T-3FBG676E
Xilinx Inc.
XC2VP70-6FFG1517C
Xilinx Inc.
M2GL005-VF400
Microsemi Corporation
5AGXBA1D4F27I5N
Intel
5SGXMA7H1F35C2N
Intel
5SGXEA4H3F35C2L
Intel
XC5VFX30T-1FFG665C
Xilinx Inc.
XC7S50-1CSGA324I
Xilinx Inc.
EP3SE110F780I3N
Intel