maison / des produits / Protection de circuit / TVS - Varistances, MOVs / ERZ-E11B821CS
Référence fabricant | ERZ-E11B821CS |
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Numéro de pièce future | FT-ERZ-E11B821CS |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | ZNR® |
ERZ-E11B821CS Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Volts CA maximum | 510V |
Volts CC maximum | 670V |
Tension de varistance (min) | 738V |
Tension de varistance (Typ) | 820V |
Tension de varistance (max) | 902V |
Courant - Surtension | 5kA |
Énergie | 235J |
Nombre de circuits | 1 |
Capacité à fréquence | 260pF @ 1kHz |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
Caractéristiques | - |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | Disc 14mm |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ERZ-E11B821CS Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | ERZ-E11B821CS-FT |
820576001
Wurth Electronics Inc.
B72220X3321K102
EPCOS (TDK)
B72220X2511K502
EPCOS (TDK)
B72220X2421K502
EPCOS (TDK)
820412001
Wurth Electronics Inc.
820453811
Wurth Electronics Inc.
820511311
Wurth Electronics Inc.
820512001
Wurth Electronics Inc.
820512501
Wurth Electronics Inc.
820512511
Wurth Electronics Inc.
XC2S50E-6FTG256I
Xilinx Inc.
M7AFS600-2FG484
Microsemi Corporation
APA450-PQG208
Microsemi Corporation
LFE2M100SE-6FN1152I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-70E-6FN900C
Lattice Semiconductor Corporation
XC2VP50-6FFG1152C
Xilinx Inc.
XCKU040-1SFVA784I
Xilinx Inc.
A54SX08A-TQ100A
Microsemi Corporation
EP3SE80F780I4LN
Intel
EP20K100EQC240-1
Intel