maison / des produits / Protection de circuit / TVS - Varistances, MOVs / ERZ-E11B821CS
Référence fabricant | ERZ-E11B821CS |
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Numéro de pièce future | FT-ERZ-E11B821CS |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | ZNR® |
ERZ-E11B821CS Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Volts CA maximum | 510V |
Volts CC maximum | 670V |
Tension de varistance (min) | 738V |
Tension de varistance (Typ) | 820V |
Tension de varistance (max) | 902V |
Courant - Surtension | 5kA |
Énergie | 235J |
Nombre de circuits | 1 |
Capacité à fréquence | 260pF @ 1kHz |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
Caractéristiques | - |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | Disc 14mm |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ERZ-E11B821CS Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | ERZ-E11B821CS-FT |
820576001
Wurth Electronics Inc.
B72220X3321K102
EPCOS (TDK)
B72220X2511K502
EPCOS (TDK)
B72220X2421K502
EPCOS (TDK)
820412001
Wurth Electronics Inc.
820453811
Wurth Electronics Inc.
820511311
Wurth Electronics Inc.
820512001
Wurth Electronics Inc.
820512501
Wurth Electronics Inc.
820512511
Wurth Electronics Inc.
LCMXO2-2000HE-4TG100C
Lattice Semiconductor Corporation
AFS090-FG256I
Microsemi Corporation
A54SX08-2VQ100I
Microsemi Corporation
10M50DCF484C8G
Intel
10M08DFF484C7G
Intel
5SGXEA5H3F35C2N
Intel
XC4003E-2PC84C
Xilinx Inc.
XC6VLX240T-2FFG784I
Xilinx Inc.
LFXP6E-4FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000ZE-2MG132C
Lattice Semiconductor Corporation