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Référence fabricant | ERZ-E07E621 |
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Numéro de pièce future | FT-ERZ-E07E621 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | ZNR® |
ERZ-E07E621 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Volts CA maximum | 385V |
Volts CC maximum | 505V |
Tension de varistance (min) | 558V |
Tension de varistance (Typ) | 620V |
Tension de varistance (max) | 682V |
Courant - Surtension | 2.5kA |
Énergie | 80J |
Nombre de circuits | 1 |
Capacité à fréquence | 135pF @ 1kHz |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
Caractéristiques | - |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | Disc 10mm |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ERZ-E07E621 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | ERZ-E07E621-FT |
CAN0001RP
AVX Corporation
VC04AG183R0YATWA
AVX Corporation
VC120631M650DP
AVX Corporation
VCAS080538C770RP
AVX Corporation
VDRS07B014TSE
Vishay BC Components
VDRS07B017TSE
Vishay BC Components
VJ15PA0160KBA
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VJ32M02750KBA
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VTA7060318A400RP
AVX Corporation
VTA7060331A670RP
AVX Corporation
A40MX04-FVQ80
Microsemi Corporation
LCMXO640C-5TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
A3P600L-FGG484I
Microsemi Corporation
M1A3P400-2FG484
Microsemi Corporation
LCMXO2-1200HC-4SG32C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGSMD8N3F45I3LN
Intel
XC2VP30-5FFG1152C
Xilinx Inc.
M7A3P1000-2FGG144I
Microsemi Corporation
LFXP2-30E-6F672I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000ZE-2BG332C
Lattice Semiconductor Corporation