maison / des produits / Résistances / Résistance de puce - Montage en surface / ERJ-P08D6492V
Référence fabricant | ERJ-P08D6492V |
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Numéro de pièce future | FT-ERJ-P08D6492V |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | ERJ |
ERJ-P08D6492V Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
La résistance | 64.9 kOhms |
Tolérance | ±0.5% |
Puissance (Watts) | 0.667W, 2/3W |
Composition | Thick Film |
Caractéristiques | Automotive AEC-Q200, Pulse Withstanding |
Coéfficent de température | ±100ppm/°C |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 155°C |
Paquet / caisse | 1206 (3216 Metric) |
Package d'appareils du fournisseur | 1206 |
Taille / Dimension | 0.126" L x 0.063" W (3.20mm x 1.60mm) |
Hauteur - assis (max) | 0.028" (0.70mm) |
Nombre de terminaisons | 2 |
Taux d'échec | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ERJ-P08D6492V Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | ERJ-P08D6492V-FT |
ERJ-P08D4423V
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XC4010XL-3PQ100C
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XC2VP2-6FGG256C
Xilinx Inc.
XC7S25-2FTGB196I
Xilinx Inc.
XC6SLX25T-3FGG484C
Xilinx Inc.
AX1000-2FG484I
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M1A3P1000-2PQ208I
Microsemi Corporation
5CGTFD5F5M11C7N
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A42MX09-1TQ176M
Microsemi Corporation
A54SX16A-FGG144
Microsemi Corporation
EP4SGX530HH35C4N
Intel