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Référence fabricant | ERD-S2TJ112V |
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Numéro de pièce future | FT-ERD-S2TJ112V |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | ERDS2 |
ERD-S2TJ112V Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
La résistance | 1.1 kOhms |
Tolérance | ±5% |
Puissance (Watts) | 0.25W, 1/4W |
Composition | Carbon Film |
Caractéristiques | - |
Coéfficent de température | -150/ -350ppm/°C |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 155°C |
Paquet / caisse | Axial |
Package d'appareils du fournisseur | Axial |
Taille / Dimension | 0.067" Dia x 0.126" L (1.70mm x 3.20mm) |
Hauteur - assis (max) | - |
Nombre de terminaisons | 2 |
Taux d'échec | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ERD-S2TJ112V Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | ERD-S2TJ112V-FT |
ERD-S2TJ473V
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A1010B-VQ80I
Microsemi Corporation
ICE5LP1K-SG48ITR50
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K60ETC144-3N
Intel
XC7S25-1FTGB196C
Xilinx Inc.
10M40DAF484I6G
Intel
10M25DAF256C8G
Intel
5SGXEA3K2F40I3L
Intel
5SGXEA4H1F35C2L
Intel
LFEC10E-5FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115S4F45I3SGE2
Intel