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Référence fabricant | ERA-V33J181V |
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Numéro de pièce future | FT-ERA-V33J181V |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | ERAV |
ERA-V33J181V Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type | Temperature Sensitive |
Applications | Temperature Correction Circuits |
Composition | Metal Film |
La résistance | 180 Ohms |
Tolérance | ±5% |
Puissance (Watts) | 0.063W, 1/16W |
Coéfficent de température | 3300ppm/°C |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 125°C |
Type de montage | Surface Mount |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ERA-V33J181V Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | ERA-V33J181V-FT |
WSBS8518L0500JTP3
Vishay Dale
WSBS8518L0500JTP4
Vishay Dale
WSBS8518L1000JK
Vishay Dale
WSBS8518L1000JK60
Vishay Dale
WSBS8518L1000JK80
Vishay Dale
WSBS8518L1000JKP3
Vishay Dale
WSBS8518L1000JKP4
Vishay Dale
WSBS8518L1000JT
Vishay Dale
WSBS8518L1000JT60
Vishay Dale
WSBS8518L1000JT80
Vishay Dale
XC7A100T-L1FGG484I
Xilinx Inc.
AFS600-2FG484I
Microsemi Corporation
M1A3P600-FG484
Microsemi Corporation
A54SX72A-1FG256M
Microsemi Corporation
AGL400V2-FG256T
Microsemi Corporation
A3P250-1PQ208I
Microsemi Corporation
EP3C16M164C7N
Intel
A42MX16-TQG176M
Microsemi Corporation
LCMXO2280E-5BN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CGX110DF31I7
Intel