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Référence fabricant | ER3DB-TP |
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Numéro de pièce future | FT-ER3DB-TP |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
ER3DB-TP Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 200V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 3A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 950mV @ 3A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 35ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 5µA @ 200V |
Capacité @ Vr, F | 45pF @ 4V, 1MHz |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-214AA, SMB |
Package d'appareils du fournisseur | DO-214AA (SMB) |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ER3DB-TP Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | ER3DB-TP-FT |
LSM840JE3/TR13
Microsemi Corporation
LSM845J/TR13
Microsemi Corporation
LSM845JE3/TR13
Microsemi Corporation
5821SMJ/TR13
Microsemi Corporation
5821SMJE3/TR13
Microsemi Corporation
5822SMJ/TR13
Microsemi Corporation
5822SMJE3/TR13
Microsemi Corporation
UFS305J/TR13
Microsemi Corporation
UFS305JE3/TR13
Microsemi Corporation
UFS310J/TR13
Microsemi Corporation
XC2S200E-6PQ208I
Xilinx Inc.
A3P600-PQ208I
Microsemi Corporation
AT40K40AL-1EQC
Microchip Technology
EP3C25U256A7N
Intel
5SGSMD4E3H29I3N
Intel
5SGXMA3K2F35I3N
Intel
XC4003E-1PC84C
Xilinx Inc.
LFXP10C-5FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LAE3-35EA-6FN484E
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL70F780C3
Intel