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Référence fabricant | ER1840-31JR |
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Numéro de pièce future | FT-ER1840-31JR |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | ER1840 |
ER1840-31JR Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Molded |
Matériau - Noyau | Iron |
Inductance | 11µH |
Tolérance | ±5% |
Note actuelle | 335mA |
Courant - Saturation | - |
Blindage | Unshielded |
Résistance DC (DCR) | 1.05 Ohm Max |
Q @ Freq | 30 @ 2.5MHz |
Fréquence - Auto-résonance | 36MHz |
Évaluations | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 105°C |
Fréquence d'inductance - Test | 2.5MHz |
Caractéristiques | - |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | Axial |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Taille / Dimension | 0.187" Dia x 0.437" L (4.75mm x 11.10mm) |
Hauteur - assis (max) | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ER1840-31JR Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | ER1840-31JR-FT |
ER1840-11KM
API Delevan Inc.
ER1840-11KP
API Delevan Inc.
ER1840-11KR
API Delevan Inc.
ER1840-12JM
API Delevan Inc.
ER1840-12JP
API Delevan Inc.
ER1840-12JR
API Delevan Inc.
ER1840-12KM
API Delevan Inc.
ER1840-12KP
API Delevan Inc.
ER1840-12KR
API Delevan Inc.
ER1840-135JM
API Delevan Inc.
XC2V250-5FG256I
Xilinx Inc.
LCMXO3LF-6900C-5BG324C
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN250-ZVQG100I
Microsemi Corporation
5SGXEB5R3F43C2N
Intel
5SGXMB6R2F43I3LN
Intel
EP4SE530H40C3N
Intel
LCMXO256C-3MN100I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXFB7H4F35C5N
Intel
EP4CE55F29I7
Intel
EPF10K100EQC208-2X
Intel