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Référence fabricant | ER1025-81JP |
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Numéro de pièce future | FT-ER1025-81JP |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | ER1025 |
ER1025-81JP Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Molded |
Matériau - Noyau | Ferrite |
Inductance | 360µH |
Tolérance | ±5% |
Note actuelle | 40mA |
Courant - Saturation | - |
Blindage | Unshielded |
Résistance DC (DCR) | 35 Ohm Max |
Q @ Freq | 30 @ 790kHz |
Fréquence - Auto-résonance | 6.5MHz |
Évaluations | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 105°C |
Fréquence d'inductance - Test | 790kHz |
Caractéristiques | - |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | Axial |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Taille / Dimension | 0.095" Dia x 0.250" L (2.41mm x 6.35mm) |
Hauteur - assis (max) | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ER1025-81JP Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | ER1025-81JP-FT |
ER1025-57JP
API Delevan Inc.
ER1025-57JR
API Delevan Inc.
ER1025-58JM
API Delevan Inc.
ER1025-58JP
API Delevan Inc.
ER1025-58JR
API Delevan Inc.
ER1025-58KM
API Delevan Inc.
ER1025-58KP
API Delevan Inc.
ER1025-59JM
API Delevan Inc.
ER1025-59JP
API Delevan Inc.
ER1025-59JR
API Delevan Inc.
XC6SLX150T-3FGG676I
Xilinx Inc.
M1AFS600-FG484K
Microsemi Corporation
A42MX09-1VQ100M
Microsemi Corporation
AGLN125V5-ZVQG100
Microsemi Corporation
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Intel
XC7VX330T-2FF1157C
Xilinx Inc.
5CGXBC9A7U19C8N
Intel
5AGTMC7G3F31I5N
Intel
EP3C25F324C8
Intel
EP20K100EFI324-2X
Intel