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Référence fabricant | ER1025-69JM |
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Numéro de pièce future | FT-ER1025-69JM |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | ER1025 |
ER1025-69JM Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Molded |
Matériau - Noyau | Ferrite |
Inductance | 110µH |
Tolérance | ±5% |
Note actuelle | 66mA |
Courant - Saturation | - |
Blindage | Unshielded |
Résistance DC (DCR) | 13 Ohm Max |
Q @ Freq | 30 @ 790kHz |
Fréquence - Auto-résonance | 12MHz |
Évaluations | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 105°C |
Fréquence d'inductance - Test | 790kHz |
Caractéristiques | - |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | Axial |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Taille / Dimension | 0.095" Dia x 0.250" L (2.41mm x 6.35mm) |
Hauteur - assis (max) | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ER1025-69JM Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | ER1025-69JM-FT |
ER1025-44KP
API Delevan Inc.
ER1025-45JM
API Delevan Inc.
ER1025-45JP
API Delevan Inc.
ER1025-45JR
API Delevan Inc.
ER1025-46JM
API Delevan Inc.
ER1025-46JP
API Delevan Inc.
ER1025-46JR
API Delevan Inc.
ER1025-46KM
API Delevan Inc.
ER1025-46KP
API Delevan Inc.
ER1025-46KR
API Delevan Inc.
A42MX09-2PQG100
Microsemi Corporation
XC6SLX100-3FGG676I
Xilinx Inc.
LFE2M100SE-5F1152I
Lattice Semiconductor Corporation
AT6003LV-4AC
Microchip Technology
5SGTMC7K2F40C1N
Intel
5SGXEA4H2F35C1N
Intel
5SGXMA3K1F35C2N
Intel
5CGTFD5C5F23C7N
Intel
10AX090S4F45E3SG
Intel
EP2SGX60DF780C3
Intel