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Référence fabricant | ER1025-67JR |
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Numéro de pièce future | FT-ER1025-67JR |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | ER1025 |
ER1025-67JR Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Molded |
Matériau - Noyau | Ferrite |
Inductance | 91µH |
Tolérance | ±5% |
Note actuelle | 84mA |
Courant - Saturation | - |
Blindage | Unshielded |
Résistance DC (DCR) | 8 Ohm Max |
Q @ Freq | 50 @ 2.5MHz |
Fréquence - Auto-résonance | 13MHz |
Évaluations | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 105°C |
Fréquence d'inductance - Test | 2.5MHz |
Caractéristiques | - |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | Axial |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Taille / Dimension | 0.095" Dia x 0.250" L (2.41mm x 6.35mm) |
Hauteur - assis (max) | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ER1025-67JR Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | ER1025-67JR-FT |
ER1025-43JP
API Delevan Inc.
ER1025-43JR
API Delevan Inc.
ER1025-44JM
API Delevan Inc.
ER1025-44JP
API Delevan Inc.
ER1025-44JR
API Delevan Inc.
ER1025-44KM
API Delevan Inc.
ER1025-44KP
API Delevan Inc.
ER1025-45JM
API Delevan Inc.
ER1025-45JP
API Delevan Inc.
ER1025-45JR
API Delevan Inc.
XC6SLX150-3FGG900I
Xilinx Inc.
XC2S200-6PQG208C
Xilinx Inc.
M2GL025T-1FCSG325
Microsemi Corporation
EP3C16F484C7
Intel
5SGSMD4K2F40I3L
Intel
EP1M350F780I6N
Intel
LCMXO3LF-9400E-6BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2S90F780C4N
Intel
EPF6016QC240-3N
Intel
5SGSMD3H1F35C1N
Intel