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Référence fabricant | ER1025-61JR |
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Numéro de pièce future | FT-ER1025-61JR |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | ER1025 |
ER1025-61JR Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Molded |
Matériau - Noyau | Ferrite |
Inductance | 51µH |
Tolérance | ±5% |
Note actuelle | 100mA |
Courant - Saturation | - |
Blindage | Unshielded |
Résistance DC (DCR) | 5.7 Ohm Max |
Q @ Freq | 45 @ 2.5MHz |
Fréquence - Auto-résonance | 18MHz |
Évaluations | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 105°C |
Fréquence d'inductance - Test | 2.5MHz |
Caractéristiques | - |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | Axial |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Taille / Dimension | 0.095" Dia x 0.250" L (2.41mm x 6.35mm) |
Hauteur - assis (max) | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ER1025-61JR Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | ER1025-61JR-FT |
ER1025-37JM
API Delevan Inc.
ER1025-37JP
API Delevan Inc.
ER1025-37JR
API Delevan Inc.
ER1025-38JM
API Delevan Inc.
ER1025-38JP
API Delevan Inc.
ER1025-38JR
API Delevan Inc.
ER1025-38KM
API Delevan Inc.
ER1025-38KP
API Delevan Inc.
ER1025-39JM
API Delevan Inc.
ER1025-39JP
API Delevan Inc.
XC3S50AN-5TQG144C
Xilinx Inc.
XA3S200-4FTG256Q
Xilinx Inc.
M1A3P600-1FGG484
Microsemi Corporation
A3P250-1FGG256
Microsemi Corporation
A3PN125-ZVQ100I
Microsemi Corporation
EP20K300EBC672-2X
Intel
10AX016C3U19E2LG
Intel
APA075-FGG144A
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000HE-5FG484I
Lattice Semiconductor Corporation
ICE40LP384-CM81TR
Lattice Semiconductor Corporation