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Référence fabricant | ER1025-61JM |
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Numéro de pièce future | FT-ER1025-61JM |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | ER1025 |
ER1025-61JM Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Molded |
Matériau - Noyau | Ferrite |
Inductance | 51µH |
Tolérance | ±5% |
Note actuelle | 100mA |
Courant - Saturation | - |
Blindage | Unshielded |
Résistance DC (DCR) | 5.7 Ohm Max |
Q @ Freq | 45 @ 2.5MHz |
Fréquence - Auto-résonance | 18MHz |
Évaluations | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 105°C |
Fréquence d'inductance - Test | 2.5MHz |
Caractéristiques | - |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | Axial |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Taille / Dimension | 0.095" Dia x 0.250" L (2.41mm x 6.35mm) |
Hauteur - assis (max) | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ER1025-61JM Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | ER1025-61JM-FT |
ER1025-36KM
API Delevan Inc.
ER1025-36KP
API Delevan Inc.
ER1025-37JM
API Delevan Inc.
ER1025-37JP
API Delevan Inc.
ER1025-37JR
API Delevan Inc.
ER1025-38JM
API Delevan Inc.
ER1025-38JP
API Delevan Inc.
ER1025-38JR
API Delevan Inc.
ER1025-38KM
API Delevan Inc.
ER1025-38KP
API Delevan Inc.
XC4005XL-2TQ144C
Xilinx Inc.
XC2S100-6FGG256C
Xilinx Inc.
A54SX32A-CQ208
Microsemi Corporation
EP4CE10E22I8LN
Intel
5SGXEABK2H40I2LN
Intel
5SGXMABK2H40I3LN
Intel
A42MX09-PL84I
Microsemi Corporation
LFE2-20SE-5FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K3F35E2SG
Intel
EP3C80F780C7N
Intel