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Référence fabricant | ER1025-50JR |
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Numéro de pièce future | FT-ER1025-50JR |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | ER1025 |
ER1025-50JR Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Molded |
Matériau - Noyau | Iron |
Inductance | 18µH |
Tolérance | ±5% |
Note actuelle | 145mA |
Courant - Saturation | - |
Blindage | Unshielded |
Résistance DC (DCR) | 3.1 Ohm Max |
Q @ Freq | 50 @ 2.5MHz |
Fréquence - Auto-résonance | 30MHz |
Évaluations | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 105°C |
Fréquence d'inductance - Test | 2.5MHz |
Caractéristiques | - |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | Axial |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Taille / Dimension | 0.095" Dia x 0.250" L (2.41mm x 6.35mm) |
Hauteur - assis (max) | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ER1025-50JR Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | ER1025-50JR-FT |
ER1025-26JR
API Delevan Inc.
ER1025-26KM
API Delevan Inc.
ER1025-26KP
API Delevan Inc.
ER1025-26KR
API Delevan Inc.
ER1025-27JM
API Delevan Inc.
ER1025-27JP
API Delevan Inc.
ER1025-27JR
API Delevan Inc.
ER1025-28JM
API Delevan Inc.
ER1025-28JP
API Delevan Inc.
ER1025-28JR
API Delevan Inc.
LCMXO2-2000ZE-3TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
XCVU080-H1FFVC1517E
Xilinx Inc.
M2GL090T-1FCSG325I
Microsemi Corporation
AGLN020V2-UCG81
Microsemi Corporation
A54SX32A-PQG208
Microsemi Corporation
EP1K100EFI484-2
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5SGXEABK1H40C2N
Intel
LFE2M35E-5F672C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HC-5MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
5CEBA4U19C8N
Intel