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Référence fabricant | ER1025-41JR |
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Numéro de pièce future | FT-ER1025-41JR |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | ER1025 |
ER1025-41JR Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Molded |
Matériau - Noyau | Iron |
Inductance | 7.5µH |
Tolérance | ±5% |
Note actuelle | 155mA |
Courant - Saturation | - |
Blindage | Unshielded |
Résistance DC (DCR) | 2.7 Ohm Max |
Q @ Freq | 50 @ 7.9MHz |
Fréquence - Auto-résonance | 55MHz |
Évaluations | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 105°C |
Fréquence d'inductance - Test | 7.9MHz |
Caractéristiques | - |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | Axial |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Taille / Dimension | 0.095" Dia x 0.250" L (2.41mm x 6.35mm) |
Hauteur - assis (max) | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ER1025-41JR Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | ER1025-41JR-FT |
ER1025-18JM
API Delevan Inc.
ER1025-18JP
API Delevan Inc.
ER1025-18JR
API Delevan Inc.
ER1025-18JS
API Delevan Inc.
ER1025-18KM
API Delevan Inc.
ER1025-18KP
API Delevan Inc.
ER1025-19JM
API Delevan Inc.
ER1025-19JP
API Delevan Inc.
ER1025-19JR
API Delevan Inc.
ER1025-19JS
API Delevan Inc.
XC3S500E-4VQG100I
Xilinx Inc.
A54SX32A-2TQG176I
Microsemi Corporation
M2GL025T-1FGG484
Microsemi Corporation
10AX032E3F29I2SG
Intel
EP4CGX22BF14C8N
Intel
EP4SE530H40I3N
Intel
5SGXEA4H2F35I2N
Intel
A40MX02-1PQ100M
Microsemi Corporation
LFEC10E-4F256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX130GF40C4NES
Intel