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Référence fabricant | ER1025-35JR |
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Numéro de pièce future | FT-ER1025-35JR |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | ER1025 |
ER1025-35JR Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Molded |
Matériau - Noyau | Iron |
Inductance | 4.3µH |
Tolérance | ±5% |
Note actuelle | 230mA |
Courant - Saturation | - |
Blindage | Unshielded |
Résistance DC (DCR) | 1.2 Ohm Max |
Q @ Freq | 45 @ 7.9MHz |
Fréquence - Auto-résonance | 75MHz |
Évaluations | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 105°C |
Fréquence d'inductance - Test | 7.9MHz |
Caractéristiques | - |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | Axial |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Taille / Dimension | 0.095" Dia x 0.250" L (2.41mm x 6.35mm) |
Hauteur - assis (max) | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ER1025-35JR Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | ER1025-35JR-FT |
ER1025-13JM
API Delevan Inc.
ER1025-13JP
API Delevan Inc.
ER1025-13JR
API Delevan Inc.
ER1025-13JS
API Delevan Inc.
ER1025-14JM
API Delevan Inc.
ER1025-14JP
API Delevan Inc.
ER1025-14JR
API Delevan Inc.
ER1025-14JS
API Delevan Inc.
ER1025-14KM
API Delevan Inc.
ER1025-14KP
API Delevan Inc.
EPF10K20TC144-4
Intel
LFEC3E-4TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
M2GL010-1VF400
Microsemi Corporation
AGL030V5-VQ100I
Microsemi Corporation
5SGXEA5N1F40I2N
Intel
XC2V2000-4FFG896C
Xilinx Inc.
A42MX24-1PQ160
Microsemi Corporation
LFE2-20E-6F672C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-35SE-7F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX125EF29C6ES
Intel