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Référence fabricant | ER1025-33JP |
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Numéro de pièce future | FT-ER1025-33JP |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | ER1025 |
ER1025-33JP Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Molded |
Matériau - Noyau | Iron |
Inductance | 3.6µH |
Tolérance | ±5% |
Note actuelle | 250mA |
Courant - Saturation | - |
Blindage | Unshielded |
Résistance DC (DCR) | 1 Ohm Max |
Q @ Freq | 45 @ 7.9MHz |
Fréquence - Auto-résonance | 80MHz |
Évaluations | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 105°C |
Fréquence d'inductance - Test | 7.9MHz |
Caractéristiques | - |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | Axial |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Taille / Dimension | 0.095" Dia x 0.250" L (2.41mm x 6.35mm) |
Hauteur - assis (max) | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ER1025-33JP Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | ER1025-33JP-FT |
ER1025-11JM
API Delevan Inc.
ER1025-11JP
API Delevan Inc.
ER1025-11JR
API Delevan Inc.
ER1025-11JS
API Delevan Inc.
ER1025-12JM
API Delevan Inc.
ER1025-12JP
API Delevan Inc.
ER1025-12JR
API Delevan Inc.
ER1025-12JS
API Delevan Inc.
ER1025-12KM
API Delevan Inc.
ER1025-12KP
API Delevan Inc.
XA3S200A-4FTG256Q
Xilinx Inc.
XC3S400-4FGG456C
Xilinx Inc.
A54SX72A-FGG484
Microsemi Corporation
M2GL010T-FGG484I
Microsemi Corporation
APA1000-BG456M
Microsemi Corporation
A3PE3000-2PQG208I
Microsemi Corporation
10M08DCF256C7G
Intel
5SGXEABK2H40C2LN
Intel
XCV100-4BG256C
Xilinx Inc.
AGL1000V5-FGG144
Microsemi Corporation