maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Réseaux / EMX2T2R
Référence fabricant | EMX2T2R |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-EMX2T2R |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
EMX2T2R Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Not For New Designs |
Type de transistor | 2 NPN (Dual) |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 150mA |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 50V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 400mV @ 5mA, 50mA |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 100nA (ICBO) |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 120 @ 1mA, 6V |
Puissance - Max | 150mW |
Fréquence - Transition | 180MHz |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SOT-563, SOT-666 |
Package d'appareils du fournisseur | EMT6 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
EMX2T2R Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | EMX2T2R-FT |
HN2C01FE-GR(T5L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
HN2C01FEYTE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage
HN4B01JE(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
2SC4207-BL(TE85L,F
Toshiba Semiconductor and Storage
2SC4207-GR(TE85L,F
Toshiba Semiconductor and Storage
HN4B04J(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
2SA1618-Y(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
HN4A51JTE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage
HN4C51J(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
2SC4207-Y(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
A3PE3000-2FGG484I
Microsemi Corporation
EP2S60F672C5N
Intel
5SGXEA5N2F45C3N
Intel
EP4S100G4F45I3
Intel
XC5VLX50-2FF676I
Xilinx Inc.
M2GL090TS-1FGG676
Microsemi Corporation
AGL600V2-CSG281
Microsemi Corporation
LFE3-35EA-7LFN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S60B956C6N
Intel
EPF10K200SBI356-2
Intel