maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples, Pré-pola / EML20T2R
Référence fabricant | EML20T2R |
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Numéro de pièce future | FT-EML20T2R |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
EML20T2R Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Not For New Designs |
Type de transistor | NPN - Pre-Biased + Diode |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 100mA |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 50V |
Résistance - Base (R1) | 2.2 kOhms |
Résistance - Base de l'émetteur (R2) | 47 kOhms |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 10mA, 5V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 500nA |
Fréquence - Transition | 250MHz |
Puissance - Max | 150mW |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SOT-563, SOT-666 |
Package d'appareils du fournisseur | EMT6 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
EML20T2R Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | EML20T2R-FT |
DTC124ECAT116
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Xilinx Inc.
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10CL055YF484C8G
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EP4CGX15BF14C6
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AGL600V2-CSG281I
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APA300-FGG144M
Microsemi Corporation
LFXP6E-4FN256C
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LFX125EB-04F256I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX016E3F27I1SG
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