maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Réseaux, pré-pola / EMG6T2R
Référence fabricant | EMG6T2R |
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Numéro de pièce future | FT-EMG6T2R |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
EMG6T2R Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de transistor | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 100mA |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 50V |
Résistance - Base (R1) | 47 kOhms |
Résistance - Base de l'émetteur (R2) | - |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 1mA, 5V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 1mA, 10mA |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 500nA (ICBO) |
Fréquence - Transition | 250MHz |
Puissance - Max | 150mW |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 6-SMD (5 Leads), Flat Lead |
Package d'appareils du fournisseur | EMT5 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
EMG6T2R Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | EMG6T2R-FT |
RN4907(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN4908(T5L,F,T)
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RN4909(T5L,F,T)
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AT6002ALV-4AC
Microchip Technology
EP1K50TC144-3
Intel
LFXP3E-3T144C
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN060-Z1VQG100
Microsemi Corporation
5SGXEB5R2F43I3LN
Intel
XC7K410T-3FBG900E
Xilinx Inc.
XC7A75T-2CSG324I
Xilinx Inc.
A54SX32A-FGG144I
Microsemi Corporation
LFE3-150EA-6LFN1156I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2S90F1508C5N
Intel