maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Réseaux, pré-pola / EMF24T2R
Référence fabricant | EMF24T2R |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-EMF24T2R |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
EMF24T2R Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Not For New Designs |
Type de transistor | 1 NPN Pre-Biased, 1 NPN |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 100mA, 150mA |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 50V |
Résistance - Base (R1) | 10 kOhms |
Résistance - Base de l'émetteur (R2) | 10 kOhms |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 5mA, 5V / 180 @ 1mA, 6V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA / 400mV @ 5mA, 50mA |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 500nA |
Fréquence - Transition | 250MHz, 180MHz |
Puissance - Max | 150mW |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SOT-563, SOT-666 |
Package d'appareils du fournisseur | EMT6 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
EMF24T2R Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | EMF24T2R-FT |
RN2906(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2907(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2908(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2909(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2910(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2911(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN4901(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN4901,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
RN4902,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
RN4903(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage