maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Réseaux, pré-pola / EMF22T2R
Référence fabricant | EMF22T2R |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-EMF22T2R |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
EMF22T2R Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de transistor | 1 NPN Pre-Biased, 1 NPN |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 100mA, 500mA |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 50V, 12V |
Résistance - Base (R1) | 10 kOhms |
Résistance - Base de l'émetteur (R2) | 10 kOhms |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 5mA, 5V / 270 @ 10mA, 2V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA / 250mV @ 10mA, 200mA |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 500nA |
Fréquence - Transition | 250MHz, 320MHz |
Puissance - Max | 150mW |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SOT-563, SOT-666 |
Package d'appareils du fournisseur | EMT6 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
EMF22T2R Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | EMF22T2R-FT |
RN2905,LF(CT
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2906(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2907(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2908(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2909(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2910(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2911(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN4901(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN4901,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
RN4902,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
XC6SLX75-2FGG484C
Xilinx Inc.
APA1000-FG896A
Microsemi Corporation
EPF6016ATC100-2N
Intel
LFXP6C-5Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP20E-4F256C
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA2U19A7N
Intel
10AX066K2F40E1SG
Intel
10AX115N1F40E1SG
Intel
10CL120ZF780I8G
Intel
EPF10K30AQC208-2
Intel