maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Réseaux, pré-pola / EMF21T2R
Référence fabricant | EMF21T2R |
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Numéro de pièce future | FT-EMF21T2R |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
EMF21T2R Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Not For New Designs |
Type de transistor | 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 100mA, 500mA |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 50V, 12V |
Résistance - Base (R1) | 10 kOhms |
Résistance - Base de l'émetteur (R2) | 10 kOhms |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 5mA, 5V / 270 @ 10mA, 2V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA / 250mV @ 10mA, 200mA |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 500nA |
Fréquence - Transition | 250MHz, 260MHz |
Puissance - Max | 150mW |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SOT-563, SOT-666 |
Package d'appareils du fournisseur | EMT6 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
EMF21T2R Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | EMF21T2R-FT |
RN2904,LF
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RN2905,LF(CT
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RN2906(T5L,F,T)
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RN2907(T5L,F,T)
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RN2908(T5L,F,T)
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RN2909(T5L,F,T)
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RN2910(T5L,F,T)
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RN4901,LF
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