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EMD30T2R Image

Rohm Semiconductor EMD30T2R

Numéro de pièce MFG
EMD30T2R
quantité disponible
14690 Pièces
Prix de référence
USD 0.0814
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Date d'expédition
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fabricant
Rohm Semiconductor
Brève description
- TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - Bipolaires (BJT) - Réseaux, pré-pola
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
EMD30T2R.pdf
EMD30T2R Image

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EMD30T2R Caractéristiques

Référence fabricant EMD30T2R
Numéro de pièce future FT-EMD30T2R
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries -
EMD30T2R Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Not For New Designs
Type de transistor 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 100mA, 200mA
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) 50V, 30V
Résistance - Base (R1) 10 kOhms, 1 kOhms
Résistance - Base de l'émetteur (R2) 10 kOhms
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce 30 @ 5mA, 5V / 140 @ 100mA, 2V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA / 300mV @ 2.5mA, 50mA
Courant - Coupure Collecteur (Max) 500nA
Fréquence - Transition 250MHz, 260MHz
Puissance - Max 150mW
Type de montage Surface Mount
Paquet / caisse SOT-563, SOT-666
Package d'appareils du fournisseur EMT6
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
EMD30T2R Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange EMD30T2R-FT

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