maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Réseaux, pré-pola / EMD30T2R
Référence fabricant | EMD30T2R |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-EMD30T2R |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
EMD30T2R Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Not For New Designs |
Type de transistor | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 100mA, 200mA |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 50V, 30V |
Résistance - Base (R1) | 10 kOhms, 1 kOhms |
Résistance - Base de l'émetteur (R2) | 10 kOhms |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 5mA, 5V / 140 @ 100mA, 2V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA / 300mV @ 2.5mA, 50mA |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 500nA |
Fréquence - Transition | 250MHz, 260MHz |
Puissance - Max | 150mW |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SOT-563, SOT-666 |
Package d'appareils du fournisseur | EMT6 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
EMD30T2R Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | EMD30T2R-FT |
RN2903,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2904(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2904,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2905,LF(CT
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2906(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2907(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2908(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2909(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2910(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2911(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage
XC3S1400AN-5FGG484C
Xilinx Inc.
A42MX36-BG272I
Microsemi Corporation
LCMXO640C-3FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN125-1VQG100
Microsemi Corporation
EP20K200EFC484-2N
Intel
10M16DCF256I6G
Intel
5SEEBH40I4N
Intel
EP4SGX530KH40C3N
Intel
LFE3-150EA-6FN1156I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M50SE-7FN900C
Lattice Semiconductor Corporation