maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Réseaux, pré-pola / EMA8T2R
Référence fabricant | EMA8T2R |
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Numéro de pièce future | FT-EMA8T2R |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
EMA8T2R Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Not For New Designs |
Type de transistor | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 100mA |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 50V |
Résistance - Base (R1) | 10 kOhms |
Résistance - Base de l'émetteur (R2) | 47 kOhms |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 68 @ 5mA, 5V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 500nA |
Fréquence - Transition | - |
Puissance - Max | 300mW |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 6-SMD (5 Leads), Flat Lead |
Package d'appareils du fournisseur | EMT5 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
EMA8T2R Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | EMA8T2R-FT |
RN4910(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN4911(T5L,F,T)
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RN4984(T5L,F,T)
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RN4986(T5L,F,T)
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RN2702TE85LF
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RN2711(TE85L,F)
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QSH29TR
Rohm Semiconductor
XC6SLX150-N3FG900I
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A3P1000-FGG256T
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A54SX08A-PQ208A
Microsemi Corporation
MPF300T-1FCG1152E
Microsemi Corporation
M2GL010T-1VFG400
Microsemi Corporation
EP2C35F672I8N
Intel
EP2C70F672C6
Intel
EPF10K200SBC600-1X
Intel
XC7VX485T-2FFG1761C
Xilinx Inc.
XA6SLX25-3CSG324Q
Xilinx Inc.