maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Réseaux, pré-pola / EMA3T2R
Référence fabricant | EMA3T2R |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-EMA3T2R |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
EMA3T2R Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de transistor | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled) |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 100mA |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 50V |
Résistance - Base (R1) | 4.7 kOhms |
Résistance - Base de l'émetteur (R2) | - |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 1mA, 5V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 500nA (ICBO) |
Fréquence - Transition | 250MHz |
Puissance - Max | 150mW |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 6-SMD (5 Leads), Flat Lead |
Package d'appareils du fournisseur | EMT5 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
EMA3T2R Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | EMA3T2R-FT |
RN4901,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
RN4902,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
RN4903(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN4904(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN4905T5LFT
Toshiba Semiconductor and Storage
RN4906,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
RN4907(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN4908(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN4909(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN4910(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage
XCKU035-2FBVA676I
Xilinx Inc.
XC6SLX150T-N3FG900C
Xilinx Inc.
5SGXEA9N1F45C2N
Intel
EP4S40G5H40I1
Intel
XC2V1000-4BGG575I
Xilinx Inc.
XC6VLX550T-1FFG1759I
Xilinx Inc.
XC5VLX110-1FFG676C
Xilinx Inc.
LFE2M50SE-7FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115N2F45E1SG
Intel
5AGXMA5G4F31I5N
Intel