maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Matrices / EM6K34T2CR
Référence fabricant | EM6K34T2CR |
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Numéro de pièce future | FT-EM6K34T2CR |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
EM6K34T2CR Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | 2 N-Channel (Dual) |
Caractéristique FET | Logic Level Gate, 0.9V Drive |
Drain à la tension source (Vdss) | 50V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 200mA |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.2 Ohm @ 200mA, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 800mV @ 1mA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 26pF @ 10V |
Puissance - Max | 120mW |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SOT-563, SOT-666 |
Package d'appareils du fournisseur | EMT6 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
EM6K34T2CR Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | EM6K34T2CR-FT |
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XC7A75T-1CSG324C
Xilinx Inc.
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Lattice Semiconductor Corporation
EP20K1000CB652C7ES
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5CEBA4U15I7N
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