maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Matrices / EM6J1T2R
Référence fabricant | EM6J1T2R |
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Numéro de pièce future | FT-EM6J1T2R |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
EM6J1T2R Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | 2 P-Channel (Dual) |
Caractéristique FET | Logic Level Gate |
Drain à la tension source (Vdss) | 20V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 200mA |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.2 Ohm @ 200mA, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 100µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 1.4nC @ 4.5V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 115pF @ 10V |
Puissance - Max | 150mW |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SOT-563, SOT-666 |
Package d'appareils du fournisseur | EMT6 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
EM6J1T2R Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | EM6J1T2R-FT |
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