Référence fabricant | EM 2BV |
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Numéro de pièce future | FT-EM 2BV |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
EM 2BV Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 800V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 1.2A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 920mV @ 1.2A |
La vitesse | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 10µA @ 800V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | Axial |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Température de fonctionnement - Jonction | -40°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
EM 2BV Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | EM 2BV-FT |
D2450N07TXPSA1
Infineon Technologies
D2520N22TVFXPSA1
Infineon Technologies
D2650N24TVFXPSA1
Infineon Technologies
D4810N22TVFXPSA1
Infineon Technologies
D4810N28TVFXPSA1
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D5810N04TVFXPSA1
Infineon Technologies
D5810N06TVFXPSA1
Infineon Technologies
D650N02TXPSA1
Infineon Technologies
D650N06TXPSA1
Infineon Technologies
D690S20TXPSA1
Infineon Technologies
XC4010E-2BG225I
Xilinx Inc.
A3P1000L-FG484I
Microsemi Corporation
A3P1000-PQ208I
Microsemi Corporation
A54SX72A-PQG208A
Microsemi Corporation
5SGXMB5R2F40C2N
Intel
5SGXEA4K1F35I2N
Intel
XC7K325T-2FF900I
Xilinx Inc.
LFEC10E-3QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-2100C-6BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE50F780C2
Intel