Référence fabricant | EM 1BV |
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Numéro de pièce future | FT-EM 1BV |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
EM 1BV Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 800V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 1A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.05V @ 1A |
La vitesse | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 20µA @ 800V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | Axial |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Température de fonctionnement - Jonction | -40°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
EM 1BV Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | EM 1BV-FT |
CRS15(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
CRS15I30A(TE85L,QM
Toshiba Semiconductor and Storage
CRS15I30B(TE85L,QM
Toshiba Semiconductor and Storage
CRS15I40A(TE85L,QM
Toshiba Semiconductor and Storage
CRS20I30B(TE85L,QM
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CRS20I40A(TE85L,QM
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CRS20I40B(TE85L,QM
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CRS30I30A(TE85L,QM
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CRS30I40A(TE85L,QM
Toshiba Semiconductor and Storage
D1030N22TXPSA1
Infineon Technologies