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Référence fabricant | ELL-SFG4R7NA |
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Numéro de pièce future | FT-ELL-SFG4R7NA |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | G |
ELL-SFG4R7NA Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type | Wirewound |
Matériau - Noyau | - |
Inductance | 4.7µH |
Tolérance | ±30% |
Note actuelle | 1.1A |
Courant - Saturation | 1A |
Blindage | Shielded |
Résistance DC (DCR) | 130 mOhm |
Q @ Freq | - |
Fréquence - Auto-résonance | - |
Évaluations | - |
Température de fonctionnement | - |
Fréquence d'inductance - Test | 100kHz |
Caractéristiques | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | Nonstandard |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Taille / Dimension | 0.157" L x 0.157" W (4.00mm x 4.00mm) |
Hauteur - assis (max) | 0.047" (1.20mm) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ELL-SFG4R7NA Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | ELL-SFG4R7NA-FT |
ELJ-EA680KF
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ELJ-EA6R8MF
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XC4005XL-2TQ144C
Xilinx Inc.
XC2S100-6FGG256C
Xilinx Inc.
A54SX32A-CQ208
Microsemi Corporation
EP4CE10E22I8LN
Intel
5SGXEABK2H40I2LN
Intel
5SGXMABK2H40I3LN
Intel
A42MX09-PL84I
Microsemi Corporation
LFE2-20SE-5FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K3F35E2SG
Intel
EP3C80F780C7N
Intel