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Référence fabricant | ELL-CTV470M |
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Numéro de pièce future | FT-ELL-CTV470M |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | V |
ELL-CTV470M Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Not For New Designs |
Type | Wirewound |
Matériau - Noyau | Ferrite |
Inductance | 47µH |
Tolérance | ±20% |
Note actuelle | 1.9A |
Courant - Saturation | - |
Blindage | Shielded |
Résistance DC (DCR) | 69 mOhm |
Q @ Freq | - |
Fréquence - Auto-résonance | - |
Évaluations | - |
Température de fonctionnement | - |
Fréquence d'inductance - Test | 100kHz |
Caractéristiques | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | Nonstandard |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Taille / Dimension | 0.472" L x 0.472" W (12.00mm x 12.00mm) |
Hauteur - assis (max) | 0.177" (4.50mm) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ELL-CTV470M Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | ELL-CTV470M-FT |
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XCS20XL-4TQG144C
Xilinx Inc.
LCMXO2-2000ZE-3TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
LFEC1E-4TN100I
Lattice Semiconductor Corporation
A40MX02-1PLG68M
Microsemi Corporation
A42MX16-2VQ100I
Microsemi Corporation
XC4020XL-2HT176C
Xilinx Inc.
10CL006YU256I7G
Intel
EP4CGX15BF14C7
Intel
M1AFS1500-2FGG676I
Microsemi Corporation
EP20K100EQC240-1
Intel