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Référence fabricant | ELL-CTV101M |
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Numéro de pièce future | FT-ELL-CTV101M |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | V |
ELL-CTV101M Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Not For New Designs |
Type | Wirewound |
Matériau - Noyau | Ferrite |
Inductance | 100µH |
Tolérance | ±20% |
Note actuelle | 1.2A |
Courant - Saturation | - |
Blindage | Shielded |
Résistance DC (DCR) | 150 mOhm |
Q @ Freq | - |
Fréquence - Auto-résonance | - |
Évaluations | - |
Température de fonctionnement | - |
Fréquence d'inductance - Test | 100kHz |
Caractéristiques | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | Nonstandard |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Taille / Dimension | 0.472" L x 0.472" W (12.00mm x 12.00mm) |
Hauteur - assis (max) | 0.177" (4.50mm) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ELL-CTV101M Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | ELL-CTV101M-FT |
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XC2VP70-6FF1517I
Xilinx Inc.
A3PE600-1FG484I
Microsemi Corporation
LFE2-70E-7F900C
Lattice Semiconductor Corporation
A10V20B-PLG68C
Microsemi Corporation
EP20K200CF484C7
Intel
EP4SE820H40I4
Intel
EP3SE80F1152I4L
Intel
XC4013XL-3BG256I
Xilinx Inc.
ICE40LP1K-CM121
Lattice Semiconductor Corporation
EPF6016QC208-3
Intel