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Référence fabricant | ELL-ATV821M |
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Numéro de pièce future | FT-ELL-ATV821M |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | V |
ELL-ATV821M Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Not For New Designs |
Type | Wirewound |
Matériau - Noyau | Ferrite |
Inductance | 820µH |
Tolérance | ±20% |
Note actuelle | 340mA |
Courant - Saturation | - |
Blindage | Shielded |
Résistance DC (DCR) | 1.27 Ohm |
Q @ Freq | - |
Fréquence - Auto-résonance | - |
Évaluations | - |
Température de fonctionnement | - |
Fréquence d'inductance - Test | 100kHz |
Caractéristiques | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | Nonstandard |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Taille / Dimension | 0.394" L x 0.394" W (10.00mm x 10.00mm) |
Hauteur - assis (max) | 0.177" (4.50mm) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ELL-ATV821M Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | ELL-ATV821M-FT |
ELJ-FA151JF
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ELJ-FA151KF
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AGLN020V2-QNG68I
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5SGXEA5H3F35I3LN
Intel
XC7A50T-1CPG236C
Xilinx Inc.
A42MX09-1PLG84
Microsemi Corporation
LFE3-70EA-6LFN672I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K2F35I2SG
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