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Référence fabricant | ELL-ATV331M |
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Numéro de pièce future | FT-ELL-ATV331M |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | V |
ELL-ATV331M Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Not For New Designs |
Type | Wirewound |
Matériau - Noyau | Ferrite |
Inductance | 330µH |
Tolérance | ±20% |
Note actuelle | 550mA |
Courant - Saturation | - |
Blindage | Shielded |
Résistance DC (DCR) | 550 mOhm |
Q @ Freq | - |
Fréquence - Auto-résonance | - |
Évaluations | - |
Température de fonctionnement | - |
Fréquence d'inductance - Test | 100kHz |
Caractéristiques | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | Nonstandard |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Taille / Dimension | 0.394" L x 0.394" W (10.00mm x 10.00mm) |
Hauteur - assis (max) | 0.177" (4.50mm) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ELL-ATV331M Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | ELL-ATV331M-FT |
ELJ-FA1R2JF2
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ELJ-FA1R2KF2
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ELJ-FA1R5JF
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XA6SLX45-3CSG484I
Xilinx Inc.
XC6SLX25-3FTG256C
Xilinx Inc.
XC6SLX100T-2FG676I
Xilinx Inc.
XC3S400-5PQG208C
Xilinx Inc.
A3PN010-QNG48I
Microsemi Corporation
EP3C80F484C8N
Intel
EP4CE6F17C6N
Intel
XC6VLX130T-2FFG1156I
Xilinx Inc.
A40MX04-PL84I
Microsemi Corporation
LCMXO640E-3B256I
Lattice Semiconductor Corporation