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Référence fabricant | ELL-8TP2R5NB |
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Numéro de pièce future | FT-ELL-8TP2R5NB |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | P |
ELL-8TP2R5NB Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Not For New Designs |
Type | Wirewound |
Matériau - Noyau | - |
Inductance | 2.5µH |
Tolérance | ±30% |
Note actuelle | 6.5A |
Courant - Saturation | 5.5A |
Blindage | Shielded |
Résistance DC (DCR) | 7 mOhm |
Q @ Freq | - |
Fréquence - Auto-résonance | - |
Évaluations | - |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 105°C |
Fréquence d'inductance - Test | 100kHz |
Caractéristiques | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | Nonstandard, Corner Terminals |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Taille / Dimension | 0.315" L x 0.315" W (8.00mm x 8.00mm) |
Hauteur - assis (max) | 0.197" (5.00mm) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ELL-8TP2R5NB Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | ELL-8TP2R5NB-FT |
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XC2V250-5FG256I
Xilinx Inc.
LCMXO3LF-6900C-5BG324C
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A3PN250-ZVQG100I
Microsemi Corporation
5SGXEB5R3F43C2N
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5SGXMB6R2F43I3LN
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EP4SE530H40C3N
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LCMXO256C-3MN100I
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5AGXFB7H4F35C5N
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