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Référence fabricant | ELL-6SH4R7M |
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Numéro de pièce future | FT-ELL-6SH4R7M |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | H |
ELL-6SH4R7M Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Wirewound |
Matériau - Noyau | - |
Inductance | 4.7µH |
Tolérance | ±20% |
Note actuelle | 2A |
Courant - Saturation | - |
Blindage | Shielded |
Résistance DC (DCR) | 42 mOhm |
Q @ Freq | - |
Fréquence - Auto-résonance | - |
Évaluations | - |
Température de fonctionnement | - |
Fréquence d'inductance - Test | 100kHz |
Caractéristiques | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | Nonstandard |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Taille / Dimension | 0.252" L x 0.236" W (6.40mm x 6.00mm) |
Hauteur - assis (max) | 0.130" (3.30mm) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ELL-6SH4R7M Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | ELL-6SH4R7M-FT |
ELJ-FA2R2JF
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ELJ-FA2R2KF
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ELJ-FA2R7JF
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ELJ-FA330JF
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XC3S1200E-4FT256C
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XC7S100-2FGGA676C
Xilinx Inc.
A3P400-2FGG484
Microsemi Corporation
A42MX16-PQ208A
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EP4CGX110DF27I7
Intel
EP1K10FC256-1N
Intel
A42MX16-3PQ160
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LCMXO2280E-3FTN324I
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5CEFA5M13C8N
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