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Référence fabricant | ELL-6SH470M |
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Numéro de pièce future | FT-ELL-6SH470M |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | H |
ELL-6SH470M Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Wirewound |
Matériau - Noyau | - |
Inductance | 47µH |
Tolérance | ±20% |
Note actuelle | 600mA |
Courant - Saturation | - |
Blindage | Shielded |
Résistance DC (DCR) | 270 mOhm |
Q @ Freq | - |
Fréquence - Auto-résonance | - |
Évaluations | - |
Température de fonctionnement | - |
Fréquence d'inductance - Test | 100kHz |
Caractéristiques | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | Nonstandard |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Taille / Dimension | 0.252" L x 0.236" W (6.40mm x 6.00mm) |
Hauteur - assis (max) | 0.130" (3.30mm) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ELL-6SH470M Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | ELL-6SH470M-FT |
ELJ-FA270KF
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ELJ-FA2R2JF
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ELJ-FA2R2KF
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XC4005XL-2TQ144C
Xilinx Inc.
XC2S100-6FGG256C
Xilinx Inc.
A54SX32A-CQ208
Microsemi Corporation
EP4CE10E22I8LN
Intel
5SGXEABK2H40I2LN
Intel
5SGXMABK2H40I3LN
Intel
A42MX09-PL84I
Microsemi Corporation
LFE2-20SE-5FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K3F35E2SG
Intel
EP3C80F780C7N
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