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Référence fabricant | ELL-6SH151M |
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Numéro de pièce future | FT-ELL-6SH151M |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | H |
ELL-6SH151M Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Wirewound |
Matériau - Noyau | - |
Inductance | 150µH |
Tolérance | ±20% |
Note actuelle | 350mA |
Courant - Saturation | - |
Blindage | Shielded |
Résistance DC (DCR) | 860 mOhm |
Q @ Freq | - |
Fréquence - Auto-résonance | - |
Évaluations | - |
Température de fonctionnement | - |
Fréquence d'inductance - Test | 100kHz |
Caractéristiques | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | Nonstandard |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Taille / Dimension | 0.252" L x 0.236" W (6.40mm x 6.00mm) |
Hauteur - assis (max) | 0.130" (3.30mm) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ELL-6SH151M Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | ELL-6SH151M-FT |
ELJ-FA4R7JF
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ELJ-FA4R7KF
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ELJ-FA560JF
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A42MX09-2PQG100
Microsemi Corporation
XC6SLX100-3FGG676I
Xilinx Inc.
LFE2M100SE-5F1152I
Lattice Semiconductor Corporation
AT6003LV-4AC
Microchip Technology
5SGTMC7K2F40C1N
Intel
5SGXEA4H2F35C1N
Intel
5SGXMA3K1F35C2N
Intel
5CGTFD5C5F23C7N
Intel
10AX090S4F45E3SG
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EP2SGX60DF780C3
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