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Référence fabricant | ELL-6SH101M |
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Numéro de pièce future | FT-ELL-6SH101M |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | H |
ELL-6SH101M Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Wirewound |
Matériau - Noyau | - |
Inductance | 100µH |
Tolérance | ±20% |
Note actuelle | 400mA |
Courant - Saturation | - |
Blindage | Shielded |
Résistance DC (DCR) | 680 mOhm |
Q @ Freq | - |
Fréquence - Auto-résonance | - |
Évaluations | - |
Température de fonctionnement | - |
Fréquence d'inductance - Test | 100kHz |
Caractéristiques | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | Nonstandard |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Taille / Dimension | 0.252" L x 0.236" W (6.40mm x 6.00mm) |
Hauteur - assis (max) | 0.130" (3.30mm) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ELL-6SH101M Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | ELL-6SH101M-FT |
ELJ-FA2R2KF
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XC3S1200E-5FT256C
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XC7A200T-1FBG676C
Xilinx Inc.
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Microsemi Corporation
EP4CE6E22A7N
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5SGXMA9N2F45I2LN
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5SGXMA4K3F35I3LN
Intel
XA7A75T-1CSG324I
Xilinx Inc.
LFE3-95EA-6FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090N4F45E3LG
Intel
EPF10K30RI240-4N
Intel