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Référence fabricant | ELL-6PG2R2N |
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Numéro de pièce future | FT-ELL-6PG2R2N |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | G |
ELL-6PG2R2N Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Not For New Designs |
Type | Wirewound |
Matériau - Noyau | - |
Inductance | 2.2µH |
Tolérance | ±30% |
Note actuelle | 2.2A |
Courant - Saturation | 2.2A |
Blindage | Shielded |
Résistance DC (DCR) | 37 mOhm |
Q @ Freq | - |
Fréquence - Auto-résonance | - |
Évaluations | - |
Température de fonctionnement | - |
Fréquence d'inductance - Test | 100kHz |
Caractéristiques | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | Nonstandard |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Taille / Dimension | 0.236" L x 0.236" W (6.00mm x 6.00mm) |
Hauteur - assis (max) | 0.079" (2.00mm) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ELL-6PG2R2N Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | ELL-6PG2R2N-FT |
ELL-CTV561M
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XC2VP30-6FGG676C
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Microsemi Corporation
A3PN125-1VQ100I
Microsemi Corporation
XC6VLX365T-1FF1156I
Xilinx Inc.
LFE3-95E-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K2F35I2LG
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5AGXBA5D4F35I5N
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