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Référence fabricant | ELL-6PG1R5N |
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Numéro de pièce future | FT-ELL-6PG1R5N |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | G |
ELL-6PG1R5N Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Not For New Designs |
Type | Wirewound |
Matériau - Noyau | - |
Inductance | 1.5µH |
Tolérance | ±30% |
Note actuelle | 2.5A |
Courant - Saturation | 2.5A |
Blindage | Shielded |
Résistance DC (DCR) | 30 mOhm |
Q @ Freq | - |
Fréquence - Auto-résonance | - |
Évaluations | - |
Température de fonctionnement | - |
Fréquence d'inductance - Test | 100kHz |
Caractéristiques | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | Nonstandard |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Taille / Dimension | 0.236" L x 0.236" W (6.00mm x 6.00mm) |
Hauteur - assis (max) | 0.079" (2.00mm) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ELL-6PG1R5N Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | ELL-6PG1R5N-FT |
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LCMXO1200C-4T100I
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XCV800-5FG676C
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M1A3P600-FG256I
Microsemi Corporation
A42MX16-2VQG100I
Microsemi Corporation
XC4020XL-1HT176I
Xilinx Inc.
EP2AGX45DF25C4N
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XC7S50-2CSGA324I
Xilinx Inc.
A54SX32A-1FGG144M
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000HE-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL110F780I3N
Intel