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Référence fabricant | ELL-6GM6R8N |
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Numéro de pièce future | FT-ELL-6GM6R8N |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | M |
ELL-6GM6R8N Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type | Wirewound |
Matériau - Noyau | - |
Inductance | 6.8µH |
Tolérance | ±30% |
Note actuelle | 1.1A |
Courant - Saturation | - |
Blindage | Shielded |
Résistance DC (DCR) | 96 mOhm |
Q @ Freq | - |
Fréquence - Auto-résonance | - |
Évaluations | - |
Température de fonctionnement | - |
Fréquence d'inductance - Test | 100kHz |
Caractéristiques | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | Nonstandard |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Taille / Dimension | 0.236" L x 0.236" W (6.00mm x 6.00mm) |
Hauteur - assis (max) | 0.063" (1.60mm) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ELL-6GM6R8N Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | ELL-6GM6R8N-FT |
ELL-6SH271M
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ELL-6SH390M
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LCMXO1200C-3FT256C
Lattice Semiconductor Corporation
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5SGXEBBR2H43C2LN
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XC2VP40-6FFG1148C
Xilinx Inc.
A40MX04-2PL84I
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000HE-6MG184I
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA4U19A7N
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10AX057K4F35I3LG
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EP4SGX180DF29C2XN
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