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Référence fabricant | ELL-5PR1R2N |
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Numéro de pièce future | FT-ELL-5PR1R2N |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | R |
ELL-5PR1R2N Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type | Wirewound |
Matériau - Noyau | - |
Inductance | 1.2µH |
Tolérance | ±30% |
Note actuelle | 3A |
Courant - Saturation | 4.2A |
Blindage | Shielded |
Résistance DC (DCR) | 21 mOhm |
Q @ Freq | - |
Fréquence - Auto-résonance | - |
Évaluations | - |
Température de fonctionnement | - |
Fréquence d'inductance - Test | 100kHz |
Caractéristiques | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | Nonstandard |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Taille / Dimension | 0.197" L x 0.197" W (5.00mm x 5.00mm) |
Hauteur - assis (max) | 0.079" (2.00mm) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ELL-5PR1R2N Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | ELL-5PR1R2N-FT |
ELT-5KT150LA
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ELT-5KT220LB
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XC6SLX9-2FT256C
Xilinx Inc.
AX500-FGG484
Microsemi Corporation
A3PE3000-2FG484I
Microsemi Corporation
5SGXEA7N3F40I3LN
Intel
10CL025YE144C6G
Intel
XC6VLX75T-L1FF784I
Xilinx Inc.
XC7K325T-1FBG900C
Xilinx Inc.
A54SX08A-2TQ100
Microsemi Corporation
A40MX04-3PLG84
Microsemi Corporation
LFEC3E-3FN256C
Lattice Semiconductor Corporation